雷射二極體和垂直共振腔面射雷射的脈衝測試

親愛的客戶 您好,

在半導體晶圓、棒和載體上晶片生產階段測試 VSCEL 時，熱管理極為重要。脈衝 LIV 測試通常用於盡可能地降低功率消耗，在組裝之前先分類出不良的裝置。

但是，在對 VCSEL 或雷射二極體進行脈衝測試時，仍存在幾種錯誤源，包括將高電流脈衝耦合至 DUT、光學偵測器耦合，以及偵測器本身的回應緩慢和不準確等問題。

本白皮書探討了相關的解決方案，說明如何在對 VCSEL 進行脈衝測試時消除錯誤源 (包括將高電流脈衝耦合至 DUT、光學偵測器耦合，以及偵測器本身的回應緩慢和不準確)，以達到更短的測試時間、更準確的結果和更低的不良率。